製造業者識別番号HTEE25608D
メーカー/ブランドHoneywell Microelectronics & Precision Sensors
利用可能な数量141170 Pieces
単価Quote by Email ([email protected])
簡単な説明IC EEPROM 256K PARALLEL 56CPGA
製品カテゴリメモリ
鉛フリーステータス/ RoHSステータスLead free / RoHS Compliant
耐湿性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
納期1-2 Days
日付コード(D / C)New
データシートダウンロード HTEE25608D.pdf

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品番
HTEE25608D
生産状況(ライフサイクル)
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メーカーリードタイム
6-8 weeks
調子
New & Unused, Original Sealed
発送方法
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
部品ステータス
Active
メモリの種類
Non-Volatile
メモリフォーマット
EEPROM
技術
EEPROM
メモリー容量
256Kb (32K x 8)
クロック周波数
5MHz
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ
90ms
アクセス時間
150ns
メモリインターフェイス
Parallel, SPI
電圧 - 供給
4.75 V ~ 5.25 V
動作温度
-55°C ~ 225°C (TA)
取付タイプ
Through Hole
パッケージ/ケース
56-BCPGA
サプライヤデバイスパッケージ
56-CPGA
重量
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応用
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交換部品
HTEE25608D

によって作られた関連部品 Honeywell Microelectronics & Precision Sensors

関連キーワード "HTE"

品番 メーカー 説明
HTE18-A1G1BB SICK, Inc. SEN PHT PNP/NPN DO CBL IR BG POT
HTE18-A1G1BG SICK, Inc. SEN PHT PNP/NPN DO CBL IR BG POT
HTE18-A3A1BB SICK, Inc. SEN PHT PNP/NPN DO M8-4 IR BG PO
HTE18-A4A1AB SICK, Inc. SEN PHT PNP/NPN DO M12 IR POT
HTE18-A4A1BB SICK, Inc. SEN PHT PNP/NPN 10-250MM DO M12
HTE18-A4A1BH SICK, Inc. SEN PHT PNP/NPN DO M12
HTE18-A4B2BB SICK, Inc. SEN PHT PNP/NPN DO M12
HTE18-B1G1BB SICK, Inc. SEN PHT PNP/NPN LO CBL IR BG POT
HTE18-B1G1BH SICK, Inc. SEN PHT PNP/NPN LO CBL
HTE18-B3A1BB SICK, Inc. SEN PHT PNP/NPN LO M8-4 IR BG PO
HTE18-B4A1AB SICK, Inc. SEN PHT PNP/NPN LO M12 IR POT
HTE18-B4A1BB SICK, Inc. SEN PHT PNP/NPN LO M12 IR BG POT