SIB417EDK-T1-GE3 Vishay Siliconix Distributore
| codice articolo del costruttore | SIB417EDK-T1-GE3 |
|---|---|
| Produttore / Marca | Vishay Siliconix |
| quantité disponible | 26370 Pieces |
| Prezzo unitario | Quote by Email ([email protected]) |
| Breve descrizione | MOSFET P-CH 8V 9A SC75-6 |
| categoria di prodotto | Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo di consegna | 1-2 Days |
| Data Code (D / C) | New |
| Scarica il foglio dati | SIB417EDK-T1-GE3.pdf |
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- Numero di parte
- SIB417EDK-T1-GE3
- Stato di produzione (ciclo di vita)
- Contact us
- Tempo di consegna del produttore
- 6-8 weeks
- Condizione
- New & Unused, Original Sealed
- Modo di spedizione
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Stato parte
- Active
- Tipo FET
- P-Channel
- Tecnologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 8V
- Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C
- 9A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 1.2V, 4.5V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 58 mOhm @ 5.8A, 4.5V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 1V @ 250µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 12nC @ 5V
- Vgs (massimo)
- ±5V
- Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
- 565pF @ 4V
- Caratteristica FET
-
- Dissipazione di potenza (max)
- 2.4W (Ta), 13W (Tc)
- temperatura di esercizio
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo di montaggio
- Surface Mount
- Pacchetto dispositivo fornitore
- PowerPAK® SC-75-6L Single
- Pacchetto / caso
- PowerPAK® SC-75-6L
- Peso
- Contact us
- Applicazione
- Email for details
- Pezzo di ricambio
- SIB417EDK-T1-GE3
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| Numero di parte | fabbricante | Descrizione |
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| SIB411DK-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6L |
| SIB412DK-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6 |
| SIB412DK-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6 |
| SIB413DK-T1-E3 | VISHAY | SIB413DK-T1-E3 original vishay components |
| SIB413DK-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 9A SC75-6 |
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