Produttori per Memoria
| Numero di parte | Produttore / Marca | Breve descrizione | Stato parte | Tipo di memoria | Formato di memoria | Tecnologia | Dimensione della memoria | Frequenza di clock | Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | Tempo di accesso | Interfaccia di memoria | Tensione - Fornitura | temperatura di esercizio | Tipo di montaggio | Pacchetto / caso | Pacchetto dispositivo fornitore |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Maxim Integrated | IC EEPROM 1K 1WIRE 6TDFN | Active | Non-Volatile | EEPROM | EEPROM | 1Kb (256 x 4) | 2µs | 1-Wire® | -40°C ~ 85°C (TA) | Surface Mount | 6-WDFN Exposed Pad | 6-TDFN-EP (3x3) | ||||
| Maxim Integrated | IC EEPROM 4K 1WIRE 6TDFN | Active | Non-Volatile | EEPROM | EEPROM | 4Kb (256 x 16) | 2µs | 1-Wire® | 2.8 V ~ 5.25 V | -40°C ~ 85°C (TA) | Surface Mount | 6-WDFN Exposed Pad | 6-TDFN-EP (3x3) | |||
| Maxim Integrated | IC EEPROM 2K 1WIRE 6TDFN | Active | Non-Volatile | EEPROM | EEPROM | 2Kb (2K x 1) | 1-Wire® | 2.97 V ~ 3.63 V | -40°C ~ 85°C (TA) | Surface Mount | 6-WDFN Exposed Pad | 6-TDFN (3x3) | ||||
| Maxim Integrated | IC EEPROM 512 1WIRE 6TDFN | Active | Non-Volatile | EEPROM | EEPROM | 512b (256 x 2) | 2µs | 1-Wire® | 1.71 V ~ 1.89 V | -40°C ~ 85°C (TA) | Surface Mount | 6-WDFN Exposed Pad | 6-TDFN-EP (3x3) |