codice articolo del costruttoreFDMD86100
Produttore / MarcaON Semiconductor
quantité disponible200980 Pieces
Prezzo unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descrizioneMOSFET 2N-CH 100V
categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Array
Stato senza piombo / Stato RoHSLead free / RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
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Numero di parte
FDMD86100
Stato di produzione (ciclo di vita)
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Tempo di consegna del produttore
6-8 weeks
Condizione
New & Unused, Original Sealed
Modo di spedizione
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Stato parte
Active
Tipo FET
2 N-Channel (Dual) Common Source
Caratteristica FET
Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)
100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C
10A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
2060pF @ 50V
Potenza - Max
2.2W
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / caso
8-PowerWDFN
Pacchetto dispositivo fornitore
8-Power 5x6
Peso
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Applicazione
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Pezzo di ricambio
FDMD86100

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