A2T27S007NT1 NXP USA Inc. Distributore
| codice articolo del costruttore | A2T27S007NT1 |
|---|---|
| Produttore / Marca | NXP USA Inc. |
| quantité disponible | 36600 Pieces |
| Prezzo unitario | Quote by Email ([email protected]) |
| Breve descrizione | AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO |
| categoria di prodotto | Transistor - FET, MOSFET - RF |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo di consegna | 1-2 Days |
| Data Code (D / C) | New |
| Scarica il foglio dati | A2T27S007NT1.pdf |
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- Numero di parte
- A2T27S007NT1
- Stato di produzione (ciclo di vita)
- Contact us
- Tempo di consegna del produttore
- 6-8 weeks
- Condizione
- New & Unused, Original Sealed
- Modo di spedizione
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Stato parte
- Active
- Transistor Type
- LDMOS
- Frequenza
- 728MHz ~ 3.6GHz
- Guadagno
-
- Voltaggio - Test
-
- Valutazione attuale
-
- Figura di rumore
-
- Corrente - Test
-
- Potenza - Uscita
- 28.8dBm
- Tensione - Rated
- 28V
- Pacchetto / caso
- 16-VDFN Exposed Pad
- Pacchetto dispositivo fornitore
- 16-DFN (6x4)
- Peso
- Contact us
- Applicazione
- Email for details
- Pezzo di ricambio
- A2T27S007NT1
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| Numero di parte | fabbricante | Descrizione |
|---|---|---|
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| A2T20H330W24NR6 | NXP USA Inc. | AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO |
| A2T20H330W24SR6 | NXP USA Inc. | IC TRANSISTOR RF LDMOS |
| A2T21H100-25SR3 | NXP USA Inc. | IC RF LDMOS TRANSISTOR CELL |
| A2T21H140-24SR3 | NXP USA Inc. | RF MOSFET LDMOS DUAL 28V OM780-4 |
| A2T21H360-23NR6 | NXP USA Inc. | RF TRANSISTOR 2.1GHZ 360W OM1230-4L2S |
| A2T21H360-24SR6 | NXP USA Inc. | IC TRANSISTOR RF LDMOS |
| A2T21H410-24SR6 | NXP USA Inc. | IC TRANSISTOR RF LDMOS |
| A2T21H450W19SR6 | NXP USA Inc. | 2.1GHZ 450W NI1230S-4S4S |
| A2T21S160-12SR3 | NXP USA Inc. | IC TRANSISTOR RF LDMOS |
| A2T21S161W12SR3 | NXP USA Inc. | AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO |
| A2T21S260-12SR3 | NXP USA Inc. | IC TRANSISTOR RF LDMOS |