GA10SICP12-263 GeneSiC Semiconductor Distributore
| codice articolo del costruttore | GA10SICP12-263 |
|---|---|
| Produttore / Marca | GeneSiC Semiconductor |
| quantité disponible | 72980 Pieces |
| Prezzo unitario | Quote by Email ([email protected]) |
| Breve descrizione | TRANSISTOR SJT 1200V 25A TO263-7 |
| categoria di prodotto | Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo di consegna | 1-2 Days |
| Data Code (D / C) | New |
| Scarica il foglio dati | GA10SICP12-263.pdf |
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- Numero di parte
- GA10SICP12-263
- Stato di produzione (ciclo di vita)
- Contact us
- Tempo di consegna del produttore
- 6-8 weeks
- Condizione
- New & Unused, Original Sealed
- Modo di spedizione
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Stato parte
- Active
- Tipo FET
-
- Tecnologia
- SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 1200V
- Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C
- 25A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
-
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 100 mOhm @ 10A
- Vgs (th) (Max) @ Id
-
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
-
- Vgs (massimo)
-
- Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
- 1403pF @ 800V
- Caratteristica FET
-
- Dissipazione di potenza (max)
- 170W (Tc)
- temperatura di esercizio
- 175°C (TJ)
- Tipo di montaggio
- Surface Mount
- Pacchetto dispositivo fornitore
- D2PAK (7-Lead)
- Pacchetto / caso
- TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
- Peso
- Contact us
- Applicazione
- Email for details
- Pezzo di ricambio
- GA10SICP12-263
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