BAS19-HE3-08 Vishay Semiconductor Diodes Division Distributeur
| Référence fabricant | BAS19-HE3-08 |
|---|---|
| Fabricant / marque | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| quantité disponible | 131950 Pieces |
| Prix unitaire | Quote by Email ([email protected]) |
| Brève description | DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23 |
| catégorie de produit | Diodes - Redresseurs - Simples |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Heure de livraison | 1-2 Days |
| Code de date (D / C) | New |
| Télécharger la fiche technique | BAS19-HE3-08.pdf |
S'il vous plaît remplir le formulaire ci-dessous, nous vous répondrons la citation pour BAS19-HE3-08 Dans les 24 heures.
- Numéro d'article
- BAS19-HE3-08
- Statut de production (cycle de vie)
- Contact us
- Délai d'exécution du fabricant
- 6-8 weeks
- État
- New & Unused, Original Sealed
- Manière d'expédition
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- État de la pièce
- Active
- Type de diode
- Standard
- Tension - DC Reverse (Vr) (Max)
- 100V
- Courant - Rectifié moyen (Io)
- 200mA
- Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si
- 1.25V @ 200mA
- La vitesse
- Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
- Temps de récupération inverse (trr)
- 50ns
- Courant - Fuite inverse @ Vr
- 100nA @ 100V
- Capacitance @ Vr, F
- 5pF @ 0V, 1MHz
- Type de montage
- Surface Mount
- Paquet / cas
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Package de périphérique fournisseur
- SOT-23
- Température de fonctionnement - Jonction
- -55°C ~ 150°C
- Poids
- Contact us
- Application
- Email for details
- Pièce de rechange
- BAS19-HE3-08
Composants connexes fabriqués par Vishay Semiconductor Diodes Division
.jpg "PHP00805H1800BST1")
;;2.jpg "SMZJ3800B-M3/5B")
Mots-clés associés pour "BAS1"
| Numéro d'article | Fabricant | La description |
|---|---|---|
| BAS101,215 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 300V 200MA SOT23 |
| BAS101S,215 | Nexperia USA Inc. | DIODE ARRAY GP 300V 200MA SOT23 |
| BAS116 | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 85V 215MA SOT23-3 |
| BAS116 RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23 |
| BAS116,215 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 75V 215MA SOT23 |
| BAS116,235 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 75V 215MA SOT23 |
| BAS116-7-F | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 85V 215MA SOT23-3 |
| BAS116E6327HTSA1 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3 |
| BAS116E6433HTMA1 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3 |
| BAS116GWJ | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 75V 215MA SOD123 |
| BAS116GWX | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 75V 215MA SOD123 |
| BAS116H,115 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 75V 215MA SOD123F |