Référence fabricantTSM6502CR RLG
Fabricant / marqueTaiwan Semiconductor Corporation
quantité disponible112010 Pieces
Prix unitaireQuote by Email ([email protected])
Brève descriptionMOSFET N/P-CH 60V 24A/18A 8PDFN
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - Matrices
Statut sans plomb / Statut RoHSLead free / RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Numéro d'article
TSM6502CR RLG
Statut de production (cycle de vie)
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Délai d'exécution du fabricant
6-8 weeks
État
New & Unused, Original Sealed
Manière d'expédition
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
État de la pièce
Active
FET Type
N and P-Channel
FET Caractéristique
Standard
Drain à la tension de source (Vdss)
60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C
24A (Tc), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
34 mOhm @ 5.4A, 10V, 68 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
10.3nC @ 4.5V, 9.5nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1159pF @ 30V, 930pF @ 30V
Puissance - Max
40W
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Paquet / cas
8-PowerTDFN
Package de périphérique fournisseur
8-PDFN (5x6)
Poids
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Application
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Pièce de rechange
TSM6502CR RLG

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