Référence fabricantBR25G640FVT-3GE2
Fabricant / marqueRohm Semiconductor
quantité disponible62800 Pieces
Prix unitaireQuote by Email ([email protected])
Brève descriptionSPI BUS EEPROM
catégorie de produitMémoire
Statut sans plomb / Statut RoHSLead free / RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Numéro d'article
BR25G640FVT-3GE2
Statut de production (cycle de vie)
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Délai d'exécution du fabricant
6-8 weeks
État
New & Unused, Original Sealed
Manière d'expédition
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
État de la pièce
Active
Type de mémoire
Non-Volatile
Format de la mémoire
EEPROM
La technologie
EEPROM
Taille mémoire
64Kb (8K x 8)
Fréquence d'horloge
20MHz
Écrire un temps de cycle - Word, Page
5ms
Temps d'accès
-
Interface de mémoire
SPI
Tension - Alimentation
1.6 V ~ 5.5 V
Température de fonctionnement
-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage
Surface Mount
Paquet / cas
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Package de périphérique fournisseur
8-TSSOP-B
Poids
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Application
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Pièce de rechange
BR25G640FVT-3GE2

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