Fabricants pour Durée de conservation
| Numéro d'article | Fabricant / marque | Brève description | État de la pièce | Configuration pilotée | Type de canal | Nombre de pilotes | Type de porte | Tension - Alimentation | Tension logique - VIL, VIH | Courant - sortie de crête (source, évier) | Type d'entrée | Tension latérale élevée - Max (Bootstrap) | Rise / Fall Time (Typ) | Température de fonctionnement | Type de montage | Paquet / cas | Package de périphérique fournisseur |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Infineon Technologies | IC SMART SECONDARY DRIVER 8-SOIC | Active | Low-Side | Single | 1 | N-Channel MOSFET | 12 V ~ 18 V | 2V, 2.15V | 2A, 7A | Non-Inverting | 18ns, 10ns | -25°C ~ 125°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC | ||
| Infineon Technologies | IC SMART SECONDARY DRIVER 8-SOIC | Active | Low-Side | Single | 1 | N-Channel MOSFET | 12 V ~ 18 V | 2V, 2.15V | 2A, 7A | Non-Inverting | 18ns, 10ns | -25°C ~ 125°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC | ||
| Infineon Technologies | IC MOSFET DRIVER LOW-SIDE 8-DIP | Obsolete | Low-Side | Single | 1 | IGBT, N-Channel MOSFET | 12 V ~ 18 V | 0.8V, 2.2V | 1.6A, 3.3A | Non-Inverting | 43ns, 26ns | -40°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | 8-DIP (0.300", 7.62mm) | 8-PDIP | ||
| Infineon Technologies | IC MOSFET DRIVER LOW SIDE 8DIP | Active | Low-Side | Single | 1 | IGBT, N-Channel MOSFET | 12 V ~ 18 V | 0.8V, 2.2V | 1.6A, 3.3A | Non-Inverting | 43ns, 26ns | -40°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | 8-DIP (0.300", 7.62mm) | 8-PDIP |