GP1M008A080FH Global Power Technologies Group Distributeur
                                                | Référence fabricant | GP1M008A080FH | 
|---|---|
| Fabricant / marque | Global Power Technologies Group | 
| quantité disponible | 91400 Pieces | 
| Prix unitaire | Quote by Email ([email protected]) | 
| Brève description | MOSFET N-CH 800V 8A TO220F | 
| catégorie de produit | Transistors - FET, MOSFET - Simples | 
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | 
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | 
| Heure de livraison | 1-2 Days | 
| Code de date (D / C) | New | 
| Télécharger la fiche technique | GP1M008A080FH.pdf | 
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- Numéro d'article
 - GP1M008A080FH
 
- Statut de production (cycle de vie)
 - Contact us
 
- Délai d'exécution du fabricant
 - 6-8 weeks
 
- État
 - New & Unused, Original Sealed
 
- Manière d'expédition
 - DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
 
- État de la pièce
 - Obsolete
 
- FET Type
 - N-Channel
 
- La technologie
 - MOSFET (Metal Oxide)
 
- Drain à la tension de source (Vdss)
 - 800V
 
- Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C
 - 8A (Tc)
 
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
 - 10V
 
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
 - 1.4 Ohm @ 4A, 10V
 
- Vgs (th) (Max) @ Id
 - 4V @ 250µA
 
- Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
 - 46nC @ 10V
 
- Vgs (Max)
 - ±30V
 
- Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
 - 1921pF @ 25V
 
- FET Caractéristique
 - 
- Dissipation de puissance (Max)
 - 40.3W (Tc)
 
- Température de fonctionnement
 - -55°C ~ 150°C (TJ)
 
- Type de montage
 - Through Hole
 
- Package de périphérique fournisseur
 - TO-220F
 
- Paquet / cas
 - TO-220-3 Full Pack
 
- Poids
 - Contact us
 
- Application
 - Email for details
 
- Pièce de rechange
 - GP1M008A080FH
 
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| Numéro d'article | Fabricant | La description | 
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| GP1M003A050PG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 500V 2.5A IPAK | 
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