Número de pieza del fabricanteSI5513DC-T1-GE3
Fabricante / MarcaVishay Siliconix
Cantidad disponible177280 Pieces
Precio unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descripciónMOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8
categoria de productoTransistores - FET, MOSFET - Arreglos
Estado sin plomo / estado de RoHSLead free / RoHS Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
El tiempo de entrega1-2 Days
Código de fecha (D / C)New
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Número de pieza
SI5513DC-T1-GE3
Estado de producción (ciclo de vida)
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Fabricante plazo de ejecución
6-8 weeks
Condición
New & Unused, Original Sealed
forma de envio
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo de FET
N and P-Channel
Característica FET
Logic Level Gate
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)
20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
3.1A, 2.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
75 mOhm @ 3.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
6nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
-
Potencia - Max
1.1W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / caja
8-SMD, Flat Lead
Paquete de dispositivo del proveedor
1206-8 ChipFET™
Peso
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Solicitud
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Repuesto
SI5513DC-T1-GE3

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Número de pieza Fabricante Descripción
SI5511DC VISHAY N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI5511DC-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8
SI5511DC-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8
SI5513CDC VISHAY N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI5513CDC-T VISHAY SI5513CDC-T original vishay components
SI5513CDC-T1 VISHAY SI5513CDC-T1 original vishay components
SI5513CDC-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
SI5513CDC-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
SI5513DC VISHAY Complementary 20-V (D-S) MOSFET
SI5513DC-T1 VISHAY Complementary 20-V (D-S) MOSFET
SI5513DC-T1 TEL:82766440 VISHAY SI5513DC-T1 TEL:82766440 original vishay components
SI5513DC-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8