IPI12CNE8N G Infineon Technologies Distribuidor
| Número de pieza del fabricante | IPI12CNE8N G |
|---|---|
| Fabricante / Marca | Infineon Technologies |
| Cantidad disponible | 36090 Pieces |
| Precio unitario | Quote by Email ([email protected]) |
| Breve descripción | MOSFET N-CH 85V 67A TO262-3 |
| categoria de producto | Transistores - FET, MOSFET - Simple |
| Estado sin plomo / estado de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| El tiempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de fecha (D / C) | New |
| Descargar hoja de datos | IPI12CNE8N G.pdf |
Por favor complete el siguiente formulario de consulta, le responderemos la cotización de IPI12CNE8N G en 24 horas.
- Número de pieza
- IPI12CNE8N G
- Estado de producción (ciclo de vida)
- Contact us
- Fabricante plazo de ejecución
- 6-8 weeks
- Condición
- New & Unused, Original Sealed
- forma de envio
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Estado de la pieza
- Obsolete
- Tipo de FET
- N-Channel
- Tecnología
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drene a la fuente de voltaje (Vdss)
- 85V
- Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
- 67A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 12.6 mOhm @ 67A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 4V @ 83µA
- Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
- 64nC @ 10V
- Vgs (Max)
- ±20V
- Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
- 4340pF @ 40V
- Característica FET
-
- Disipación de potencia (Máx)
- 125W (Tc)
- Temperatura de funcionamiento
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Tipo de montaje
- Through Hole
- Paquete de dispositivo del proveedor
- PG-TO262-3
- Paquete / caja
- TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
- Peso
- Contact us
- Solicitud
- Email for details
- Repuesto
- IPI12CNE8N G
Componentes relacionados hechos por Infineon Technologies
Palabras clave relacionadas para "IPI1"
| Número de pieza | Fabricante | Descripción |
|---|---|---|
| IPI100N04S303AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A TO262-3 |
| IPI100N04S4H2AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A TO262-3-1 |
| IPI100N06S3-03 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 100A I2PAK |
| IPI100N06S3-04 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 100A TO-262 |
| IPI100N06S3L-03 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 100A TO-262 |
| IPI100N06S3L04XK | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 100A TO-262 |
| IPI100N08N3GHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 70A TO262-3 |
| IPI100N08S207AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 100A TO262-3 |
| IPI100N10S305AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3 |
| IPI100N12S305AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL_100+ |
| IPI100P03P3L-04 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 100A TO262-3 |
| IPI110N20N3GAKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 88A TO262-3 |