Número de pieza del fabricanteIPB60R190P6ATMA1
Fabricante / MarcaInfineon Technologies
Cantidad disponible161610 Pieces
Precio unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descripciónMOSFET N-CH 600V TO263-3
categoria de productoTransistores - FET, MOSFET - Simple
Estado sin plomo / estado de RoHSLead free / RoHS Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
El tiempo de entrega1-2 Days
Código de fecha (D / C)New
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Número de pieza
IPB60R190P6ATMA1
Estado de producción (ciclo de vida)
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Fabricante plazo de ejecución
6-8 weeks
Condición
New & Unused, Original Sealed
forma de envio
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Estado de la pieza
Last Time Buy
Tipo de FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)
600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
20.2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
190 mOhm @ 7.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4.5V @ 630µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
37nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1750pF @ 100V
Característica FET
-
Disipación de potencia (Máx)
151W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor
D²PAK (TO-263AB)
Paquete / caja
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso
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Solicitud
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Repuesto
IPB60R190P6ATMA1

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