Hersteller-TeilenummerRFD16N06LESM9A
Hersteller / MarkeON Semiconductor
verfügbare Anzahl158680 Pieces
StückpreisQuote by Email ([email protected])
Kurze BeschreibungMOSFET N-CH 60V 16A DPAK
ProduktkategorieTransistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Bleifreier Status / RoHS-StatusLead free / RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Lieferzeit1-2 Days
Datumscode (D / C)New
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Artikelnummer
RFD16N06LESM9A
Produktionsstatus (Lebenszyklus)
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Hersteller lieferzeit
6-8 weeks
Bedingung
New & Unused, Original Sealed
Lieferweg
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Teilstatus
Active
FET Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)
60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C
16A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
47 mOhm @ 16A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
62nC @ 10V
Vgs (Max)
+10V, -8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1350pF @ 25V
FET-Eigenschaft
-
Verlustleistung (Max)
90W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Lieferantengerätepaket
TO-252AA
Paket / Fall
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht
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Anwendung
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Ersatzteil
RFD16N06LESM9A

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