Hersteller-TeilenummerIRF9910TRPBF
Hersteller / MarkeInfineon Technologies
verfügbare Anzahl197780 Pieces
StückpreisQuote by Email ([email protected])
Kurze BeschreibungMOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC
ProduktkategorieTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Bleifreier Status / RoHS-StatusLead free / RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Lieferzeit1-2 Days
Datumscode (D / C)New
Datenblatt herunterladen IRF9910TRPBF.pdf

Bitte füllen Sie das untenstehende Anfrageformular aus, wir werden Ihnen das Angebot für IRF9910TRPBF innerhalb von 24 Stunden.

Artikelnummer
IRF9910TRPBF
Produktionsstatus (Lebenszyklus)
Contact us
Hersteller lieferzeit
6-8 weeks
Bedingung
New & Unused, Original Sealed
Lieferweg
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Teilstatus
Active
FET Typ
2 N-Channel (Dual)
FET-Eigenschaft
Logic Level Gate
Drain auf Source-Spannung (Vdss)
20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C
10A, 12A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
9.3 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.55V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
900pF @ 10V
Leistung max
2W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / Fall
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket
8-SO
Gewicht
Contact us
Anwendung
Email for details
Ersatzteil
IRF9910TRPBF

Verwandte Komponenten von Infineon Technologies

In Verbindung stehende Schlüsselwörter "IRF9"

Artikelnummer Hersteller Beschreibung
IRF91109A HARRIS IRF91109A HARRIS IC ORIGINAL
IRF9110T VISHAY IRF9110T original vishay components
IRF9110TF FAIRCHILD IRF9110TF FAIRCHILD IC TO252
IRF9130 SAMSUNG P-CHANNEL POWER MOSFETS
IRF9131 SAMSUNG P-CHANNEL POWER MOSFETS
IRF9132 SAMSUNG P-CHANNEL POWER MOSFETS
IRF9133 SAMSUNG P-CHANNEL POWER MOSFETS
IRF9140 SAMSUNG P-CHANNEL POWER MOSFETS
IRF9141 SAMSUNG P-CHANNEL POWER MOSFETS
IRF9142 SAMSUNG P-CHANNEL POWER MOSFETS
IRF9143 SAMSUNG P-CHANNEL POWER MOSFETS
IRF9150 INTERSIL -25A, -100V, 0.150 Ohm, P-Channel Power MOSFET IC