Hersteller-TeilenummerIPG20N06S4L26ATMA1
Hersteller / MarkeInfineon Technologies
verfügbare Anzahl158090 Pieces
StückpreisQuote by Email ([email protected])
Kurze BeschreibungMOSFET 2N-CH 60V 20A TDSON-8
ProduktkategorieTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Bleifreier Status / RoHS-StatusLead free / RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Lieferzeit1-2 Days
Datumscode (D / C)New
Datenblatt herunterladen IPG20N06S4L26ATMA1.pdf

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Artikelnummer
IPG20N06S4L26ATMA1
Produktionsstatus (Lebenszyklus)
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Hersteller lieferzeit
6-8 weeks
Bedingung
New & Unused, Original Sealed
Lieferweg
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Teilstatus
Active
FET Typ
2 N-Channel (Dual)
FET-Eigenschaft
Logic Level Gate
Drain auf Source-Spannung (Vdss)
60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C
20A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
26 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.2V @ 10µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1430pF @ 25V
Leistung max
33W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / Fall
8-PowerVDFN
Lieferantengerätepaket
PG-TDSON-8-4
Gewicht
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Anwendung
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Ersatzteil
IPG20N06S4L26ATMA1

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Artikelnummer Hersteller Beschreibung
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